High Performance Normally Off Nanochannel Al2O3/GaN FinFET

K. S. Im; K. W. Kim; D. S. Kim; H. S. Kang; Y. W. Jo; R. H. Kim; C. H. Won; K. I. Jang; M. K. Kwon; S. M. Jeon; D. H. Son; Y. M. Kwon; J. H. Lee

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-2-6L

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

2012年9月25日〜 2012年9月27日
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

[F-2-6L] High Performance Normally Off Nanochannel Al2O3/GaN FinFET

K. S. Im¹、K. W. Kim¹、D. S. Kim¹、H. S. Kang¹、Y. W. Jo¹、R. H. Kim¹、C. H. Won¹、K. I. Jang¹、M. K. Kwon¹、S. M. Jeon¹、D. H. Son¹、Y. M. Kwon¹、J. H. Lee² (1.Kyungpook National Univ.、2.Samsung LED Corp. Ltd. , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-2-6L

▲