High Performance Normally Off Nanochannel Al2O3/GaN FinFET

K. S. Im; K. W. Kim; D. S. Kim; H. S. Kang; Y. W. Jo; R. H. Kim; C. H. Won; K. I. Jang; M. K. Kwon; S. M. Jeon; D. H. Son; Y. M. Kwon; J. H. Lee

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-2-6L

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

Sep 25, 2012 - Sep 27, 2012
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

[F-2-6L] High Performance Normally Off Nanochannel Al2O3/GaN FinFET

K. S. Im¹, K. W. Kim¹, D. S. Kim¹, H. S. Kang¹, Y. W. Jo¹, R. H. Kim¹, C. H. Won¹, K. I. Jang¹, M. K. Kwon¹, S. M. Jeon¹, D. H. Son¹, Y. M. Kwon¹, J. H. Lee² (1.Kyungpook National Univ., 2.Samsung LED Corp. Ltd. , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-2-6L

▲