Lateral High-Voltage 4H-SiC IGBTs

W. S. Lee; C. Y. Cheng; K. W. Chu; C. F. Huang; F. Zhao; L. S. Lee; Y. S. Chen; C. Y. Lee; M. J. Tsai

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-6-3

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

2012年9月25日〜 2012年9月27日
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

[F-6-3] Lateral High-Voltage 4H-SiC IGBTs

W. S. Lee¹、C. Y. Cheng¹、K. W. Chu¹、C. F. Huang¹、F. Zhao²、L. S. Lee³、Y. S. Chen³、C. Y. Lee³、M. J. Tsai³ (1.National Tsing Hua Univ. , Taiwan、2.Washington State Univ. , USA、3.Indus. Tech. Res. Inst. , Taiwan)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.F-6-3

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