Physical effects limiting performance and reliability of GaN High Electron Mobility Transistors

E. Zanoni; G. Meneghesso; M. Meneghini; D. Bisi; A. Chini; C. De Santi; F. Rampazzo; I. Rossetto; A. Stocco; G. Verzellesi

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2014.E-1-1

[E-1-1] Physical effects limiting performance and reliability of GaN High Electron Mobility Transistors

E. Zanoni¹、G. Meneghesso¹、M. Meneghini¹、D. Bisi¹、A. Chini²、C. De Santi¹、F. Rampazzo¹、I. Rossetto¹、A. Stocco¹、G. Verzellesi³ (1.Univ. di Padova、2.Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"、3.Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria, Universita di Modena e Reggio Emilia (Italy))

https://doi.org/10.7567/SSDM.2014.E-1-1

2014 International Conference on Solid State Devices and Materials

[E-1-1] Physical effects limiting performance and reliability of GaN High Electron Mobility Transistors