1⁄f Noise in Submicron Top-Gate Crystalline Oxide Semiconductor FET

A. Hirose

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2015.K-5-2

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

2015年9月27日〜 2015年9月30日
Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan

17:45 〜 18:05

[K-5-2] 1⁄f Noise in Submicron Top-Gate Crystalline Oxide Semiconductor FET

^○A. Hirose¹, T. Aoki¹, S. Maeda¹, F. Akasawa¹, Y. Kurokawa¹, T. Ikeda¹, M. Tsubuku¹, T. Ishihara¹, Y. Kobayashi¹, S. Yamazaki¹ (1.Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd.(Japan))

https://doi.org/10.7567/SSDM.2015.K-5-2

▲