First Study of High-Ge-Content Si<sub>0.16</sub>Ge<sub>0.84</sub> Gate Stack by Low Pressure Oxidation

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

^○J. -L. Zhang¹, W. -L. Lee¹, M. -L. Tsai¹, G. -L. Luo², C. -H. Chien¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan), 2.National Nano Device Labs. (Taiwan))