Normally-off MOSFET Properties Fabricated on Mg Implanted GaN Layers

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

11:53 〜 11:55

^○S. Takashima¹, K. Ueno¹, R. Tanaka¹, H. Matsuyama¹, M. Edo¹, K. Nakagawa² (1.Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), 2.Univ. of Yamanashi (Japan))