2017 International Conference on Solid State Devices and Materials

2017年9月19日〜 2017年9月22日
Sendai International Center

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[J-1-05] Mist CVD process including successive deposition of Al₂O₃, Fe catalyst layers and carbon nanotubes for high density forest

^○T. Kinoshita¹, M. Karita¹, T. Nakano¹, Y. Inoue¹, T. Miwa², H. Nagaoka² (1.Shizuoka Univ. (Japan), 2.JNC Petrochemical (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[J-1-06] Investigation of the effective net charge of strontium silicate layers on silicon substrates at changing annealing condition

^○S. Taniwaki¹, H. Yoshida¹, K. Arafune¹, A. Ogura², S. Satoh¹, Y. Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo (Japan), 2.Meiji Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[J-2-01 (Invited)] Two-Dimensional Materials: from Contact to Device Applications

P. -W. Chiu^1,2, P. -H. Ho¹,^○C. -H. Yeh¹, W. -H. Wang², C. -H. Ho³, C. -W. Chen⁴ (1.National Tsing Hua Univ. (Taiwan), 2.Academia Sinica (Taiwan), 3.National Taiwan Univ. of Sci. and Tech. (Taiwan), 4.National Taiwan Univ. (Taiwan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 15:40 〜 16:10 |PDF ダウンロード

[J-2-02] Infrared Black Phosphorus Phototransistor with Electrostatically Tunable Responsivity

^○L. Huang¹, W. C. Tan¹, L. Wang¹, C. Lee¹, K. -W. Ang¹ (1.National Univ. of Singapore (Singapore))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:10 〜 16:25 |PDF ダウンロード

[J-2-03] Modulation of Thermoelectric Performance by Using Electrolyte Gating Method

^○K. Kanahashi¹, J. Pu², L. -J. Li³, M. Ishihara⁴, M. Hasegawa⁴, Y. -Y. Noh⁵, H. Ohta⁶, T. Takenobu² (1.Waseda Univ. (Japan), 2.Nagoya Univ. (Japan), 3.KAUST (Saudi Arabia), 4.AIST (Japan), 5.Dongguk Univ. (Korea), 6.Hokkaido Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:25 〜 16:40 |PDF ダウンロード

[J-2-04] Detuning dependence of higher-order harmonic generation in monolayer transition metal dichalcogenides

^○T. Tamaya^1,2, S. Konabe³, S. Kawabata^1,2 (1.AIST (Japan), 2.CREST, Japan Sci. and Tech. Agency (Japan), 3.Tokyo Univ. of Sci. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:40 〜 16:55 |PDF ダウンロード

[J-2-05] Tailoring the Rashba Spin-Orbit Coupling in Colloidal Lead Sulfide Nanosheets

^○M. M. Ramin Moayed¹, T. Bielewicz¹, M. S. Zoellner¹, C. Herrmann¹, C. Klinke¹ (1.Univ. of Hamburg (Germany))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 16:55 〜 17:10 |PDF ダウンロード

[J-2-06] Tunable spin splitting and spin relaxation in polar WSTe monolayer

^○M. A. U. Absor¹, F. Ishii², H. Kotaka³, M. Saito² (1.Gadjah Mada Univ. (Indonesia), 2.Kanazawa Univ. (Japan), 3.Osaka Univ. (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月20日(水) 17:10 〜 17:25 |PDF ダウンロード

[J-3-01 (Invited)] Novel Graphene Devices

Y. -C. Qiao¹, H. Tian¹, L. -Q Tao¹, N. -Q. Deng¹, Y. -T. Li¹, Y. -X. Li¹, Y. Pang¹, Y. Yang¹,^○T. -L. Ren¹ (1.Tsinghua Univ. (China))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 09:30 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[J-3-02] Low-Resistance Contact to Single-Layer MoS₂ by Depositing Ultrathin High-k Dielectric with Remote N₂ Plasma Treatment as Tunneling Layer

^○Q. Qian¹, Z. Zhang¹, M. Hua¹, J. Wei¹, J. Lei¹, K. J. Chen¹ (1.Hong Kong Univ. of Sci. and Tech. (Hong Kong))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月21日(木) 10:00 〜 10:15 |PDF ダウンロード

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