Steep Switching Less Than 15 mV/decade in Silicon-on-Insulator Tunnel FETs by Trimmed-Gate Structure

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

16:46 〜 16:47

^○H. Asai¹, T. Mori¹, T. Matsukawa¹, J. Hattori¹, K. Endo¹, K. Fukuda¹ (1.AIST (Japan))