[2H01-03] F82H鋼

[2H02] 高エネルギーX線スペクトル解析によるF82H鋼HIP界面の非破壊検査法の開発

*櫻井 浩¹、野澤 貴史²、鈴木 宏輔¹、星 和志、羽賀 浩人³、谷川 博康²、染谷 洋二²、土屋 将夫³、竹内 浩³、辻 成希⁴ (1. 群馬大、2. 量研、3. 金属技研、4. 高輝度センター)

キーワード：F82H鋼、HIP界面、コンプトン散乱、高エネルギーX線、非破壊測定

本研究は、高透過率を有する高エネルギーX線を用いて得られた散乱及び蛍光X線エネルギースペクトルを解析することにより、F82H鋼のHIP(Hot-Isostatic Pressing)接合界面の健全性についての非破壊検査法を開発することを目的としたものである。BL08W, SPring-8でF82H-BA12鋼に115.56keVの高エネルギーX線を照射した。 HIP接合界面及びその近傍における散乱X線と蛍光X線のエネルギースペクトルを分析した。その結果、HIP界面ではTa元素の蓄積と電子密度の小さいSiO2の析出が観察された。これは、これまでのEPMAによる解析と一致する。さらに、HIP界面近傍ではW元素の蓄積が観察された。これらの結果は、高エネルギーX線スペクトル分析がHIPed界面の非破壊検査法として有効であることを示している。