[G] Semiconducting / Dielectric Materials

[238] Optimization of dopant concentration in Ge-doped iron oxide thin films with resistance to oxidation

*ABE Seishi¹ (1. Research Institute for Electromagnetic Materials)

Keywords:薄膜、鉄酸化物、相変化、耐酸化性、無機材料

Geを添加したFe3O4薄膜の大気中熱処理を行い、Fe3O4の耐酸化性におけるGe濃度の最適化について検討を行った。その結果、2.5at.%Geにおいて最も優れた耐酸化性を発現することが明らかになった。