[G] 半導体・誘電体材料

[238] 耐酸化性を発現するGe添加鉄酸化物薄膜における添加濃度の最適化

*阿部 世嗣¹ (1. 電磁研)

キーワード：薄膜、鉄酸化物、相変化、耐酸化性、無機材料

Geを添加したFe3O4薄膜の大気中熱処理を行い、Fe3O4の耐酸化性におけるGe濃度の最適化について検討を行った。その結果、2.5at.%Geにおいて最も優れた耐酸化性を発現することが明らかになった。