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[386] 高性能 p 型 Si-Ge 系熱電材料の開発
キーワード:熱電半導体、無次元性能指数、ナノ結晶バルク、SPS焼結、電子構造
本研究では,実用化可能なデバイスの作製に向け, 性能の高い p 型 Si-Ge 系熱電材料を開発することを目的とした.電子構造解析に基づく材料設計により,ZT = 2.5を示すp型Si-Ge 系バルク熱電材料の開発に成功した.
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