[P128] Au超薄膜を用いたGe結晶化プロセスの検討
キーワード:薄膜、半導体、結晶成長、トランジスタ
Ge上にAu超薄膜を成膜後、熱処理を行いGeを結晶化させた。Geの連続薄膜が得られトランジスタ特性を測定した結果、p-channel型の挙動を示した。この手法はMIC法より超薄膜デバイス作製の可能性が高いと推察される。
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