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[S2.5] [基調講演] オペランドX線トポグラフィー法を用いた動作中SiC MOSFET内における積層欠陥拡張の観察
キーワード:SiC、MOSFET、基底面転位、積層欠陥、オペランド、X線トポグラフィー
SiC MOSFET 内蔵PNダイオード動作中の、SiC基底面転位(BPD)の積層欠陥(SF)への拡張メカニズムの解明に向け、積層欠陥の拡張を動的に直接観察する手法としてオペランドX線トポグラフィ法を開発した。
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