[S8] S8.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIV

[S8.5] SiC飽和条件下での溶液成長によるSiC微結晶由来マクロ欠陥の抑制

*三谷 武志¹、川西 咲子²、CHAUSSENDE Didier³、吉川 健⁴ (1. 産総研、2. 東北大多元研、3. CNRS-SIMaP、4. 東大生研)

キーワード：SiC、溶液成長、SiC飽和、SiCインクルージョン

溶液成長成ではSiC微結晶が成長層にインクルージョンとして取り込まれてしまう問題がある。本研究ではSiCるつぼから原料供給するSiC飽和条件での溶液成長によってSiCインクルージョンの抑制に成功したので報告する。