[P] P75~P79

[P79] Agを触媒としてMIC法で作製したGe薄膜の結晶化と特性評価

*長 洸太¹、浅野 友太¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター)

キーワード：半導体、低温結晶、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化法

薄膜トランジスタ（TFT）のチャンネル層にGeが注目され、低温結晶化によりフレキシブルデバイスへの応用が期待される。逆積層のMIC法を用い、AgとGeの膜厚の影響を調査した。