[P] P290~292

[P292] V-Te薄膜の相変化挙動

*折原 周平¹、双 逸²、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大AIMR)

キーワード：薄膜、多形相変化材料、相変化メモリ、V-Te二元系合金

次世代PCRAMのメモリ材料として、結晶相間の多形変化を示すMnTeが期待されている。本研究では、MnTeと同様の遷移金属カルコゲナイドであるV-Te二元系薄膜に注目し、相変化挙動と電気光学特性変化について調査した。