[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月16日(月) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[16a-B5-1] MBE法により作製したScN薄膜の電気特性

^○大垣武，渡邉賢，坂口勲，大橋直樹，羽田肇 (物材機構)

09:15 〜 09:30

^○松村亮太¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田浩¹，若原昭浩¹ (豊橋技科大¹，浜松ホトニクス²)

09:30 〜 09:45

^○坂本正洋¹，王科¹，荒木努¹，名西憓之^1,2，Euijoon Yoon² (立命館大¹，ソウル国立大²)

09:45 〜 10:00

^○大澤真弥，多次見大樹，山口智広，本田徹 (工学院大)

10:00 〜 10:15

^○杉浦洋平^1,2，本田徹¹，東脇正高² (工学院大工¹，情通機構²)

10:15 〜 10:30

^○平間一行，狩元慎一，Yoshiharu Krockenberger，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性研)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○渡辺拓人¹，近藤尭之¹，大橋正哉¹，上野耕平¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:00 〜 11:15

^○金惠蓮¹，井上茂¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:15 〜 11:30

^○山岸正裕¹，羽豆耕治¹，大友友美¹，石川陽一¹，古澤健太郎¹，中山徳行²，秩父重英¹ (東北大多元研・院工¹，住友金属鉱山²)

11:30 〜 11:45

^○郭尭¹，井上茂¹，小林篤¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

11:45 〜 12:00

^○大関正彬¹，大久保佳奈¹，小林篤¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)