一般セッション(口頭講演)

[16p-A2-1~8] 1.3 新技術

2013年9月16日(月) 13:30 〜 15:45 A2 (TC1 1F-116)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 14:00

[16p-A2-1] 「応用物理学一般分科内招待講演」（30分）熱処理により自然酸化GeO層を除去したPd/Geダイオード型水素ガスセンサの特性

^○奥山澄雄，尾崎宙，山本健太，松下浩一 (山形大工)

14:00 〜 14:15

^○（DC）春田憲一¹，木村英樹²，千葉雅史³ (東海大院総合理工¹，東海大工²，東海大開発工³)

14:15 〜 14:30

^○遠藤達郎¹，梶田浩志²，和田正悟³，白石浩巳³，奥田徳路²，田中覚²，末吉健志¹，久本秀明¹ (阪府大院工¹，SCIVAX²，和光純薬工業³)

14:30 〜 14:45

^○松谷晃宏¹，髙田綾子² (東工大半導体MEMSプロセス技術センター¹，東工大バイオ技術センター²)

14:45 〜 15:00

^○松下亮仁，立木隆，内田貴司 (防衛大理工)

15:00 〜 15:15

^○伊東和徳，新野貴士，善戝良介，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大工)

15:15 〜 15:30

^○松花亮佑，中本正幸，文宗鉉 (静岡大院工)

15:30 〜 15:45

^○松谷晃宏¹，西岡國生¹，庄司大¹，佐藤美那¹，小林大斗²，磯部敏宏²，中島章²，立間徹³，松下祥子² (東工大半導体MEMSプロセス技術センター¹，東工大院材料工学²，東大生研³)

一般セッション(ポスター講演)

2013年9月17日(火) 09:30 〜 11:30 P3 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

^○今井裕司¹，中山貴裕²，飯野祥平²，但木大介²，木村康男²，庭野道夫² (仙台高専¹，東北大通研²)