[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-13] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長

^○（M2）多次見大樹¹，奥秋良隆¹，畠山匠¹，金子健太郎²，藤田静雄²，尾沼猛儀^1,3，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，京大²，東京高専³)

キーワード：Ga2O3