[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17p-B4-16] 溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響

^○長田至弘，石河泰明，呂莉，浦岡行治 (奈良先端大)

キーワード：酸化物半導体,液体プロセス,膜厚依存性