[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-6] 3次元積層集積化による高移動度InGaAs/Ge CMOSの動作実証

^○入沢寿史¹，小田穣¹，上牟田雄一¹，守山佳彦¹，池田圭司¹，三枝栄子¹，Jevaswan Wipakorn¹，前田辰郎¹，市川麿²，長田剛規²，秦雅彦²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，住友化学²)

キーワード：InGaAs, Ge, CMOS, 3D integration