[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-B5-1] 量子分子動力学シミュレーションによるGaNプラズマエッチングプロセスについての検討

^○（M2）柳谷一行，伊藤寿，桑原卓哉，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

キーワード：GaN,Etching