[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-2] Ga過剰条件下におけるGaN成長表面の分子動力学シミュレーション

^○林寛哉¹，雨川将大¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九州応力研²)

キーワード：GaN,Gaドロップレット,分子動力学