PDF ダウンロード スケジュール 12 いいね! 0 09:30 〜 09:45 [19a-B5-3] MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長と評価 ○沈旭強,高橋言緒,井手利英,清水三聡 (産総研) キーワード:窒化物