2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

09:45 〜 10:00

[19a-B5-4] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価

片桐正義1,方浩1,三宅秀人1,平松和政1,奥秀彦2,浅村英俊2,川村啓介2 (三重大院工1,エア・ウォーター総合開発研究所2)

キーワード:MOVPE,GaN,3C-SiC