[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-B5-4] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価

^○片桐正義¹，方浩¹，三宅秀人¹，平松和政¹，奥秀彦²，浅村英俊²，川村啓介² (三重大院工¹，エア・ウォーター総合開発研究所²)

キーワード：MOVPE,GaN,3C-SiC