14:15 〜 14:30
▲ [19p-B4-4] Comparison of crystalline quality of SPC Si films grown on YSZ layers with that on glass substrates in pulse laser annealing
キーワード：silicon,laser,crystallization
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.5 Siプロセス技術
[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術
2013年9月19日(木) 13:30 〜 19:00 B4 (TC2 1F-106)