[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-15] InGaN下地層および正孔ブロッキング層を用いた半極性 {11-22} LEDの作製及び評価

^○中尾洸太，Haziq Muhammad，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

キーワード：semipolar GaN