[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-B5-5] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析

^○荒内琢士¹，竹内正太郎¹，中村邦彦¹，Khan Dhin¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³)

キーワード：Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体,x線回折