2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[20a-D6-1~11] 14.1 探索的材料物性

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 D6 (MK 3F-301)

10:45 〜 11:00

[20a-D6-7] 厚さ1.5 μmを超えるBaSi2膜のSi(111)基板上へのMBE成長

○（M1）髙部涼太1，中村航太郎1，馬場正和1，Weijie Du1，Muhammad Ajmal Khan1，都甲薫1，笹瀬雅人2，原康祐3，宇佐美徳隆3,4，末益崇1,4 (筑波大1，若狭湾エネルギー研究センター2，名大3，JST-CREST4)

キーワード：BaSi2,半導体,太陽電池