[20p-D7-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D7-4] AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

^○武井優典¹，神谷真行¹，寺山一真¹，米澤宏昭¹，齋藤渉³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研²，東芝 ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社³)

キーワード：GaN,コンタクト,エッチング