[27p-A6-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[27p-A6-16] △ダイヤモンド横型接合FETの温度特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○星野雄斗¹，岩崎孝之¹，都築康平¹，加藤宙光²，牧野俊晴²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎聡²，波多野睦子¹ (東工大¹，産総研²)

キーワード：ダイヤモンド、接合型FET