PDF ダウンロード スケジュール 3 いいね! 0 [28a-G22-10] ECRスパッタ法による(000-1)4H-SiC MOS構造の作製 (11:30 AM ~ 11:45 AM) ○脇英司,小野修一,新井学,山崎王義 (新日本無線) キーワード:SiC、MOS、界面