[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-13] InGaAs/ALD-Al₂O₃界面特性と初期表面の残留酸化物 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉田俊幸 (島根大総理工)

キーワード：InGaAs、Al2O3、自然酸化膜