[18a-A16-1~11] 13.4 デバイス／集積化技術

[18a-A16-3] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (V_min) の統計的解析

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，山下朋弘²，尾田秀一²，蒲原史朗²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

キーワード：SRAN,最低動作電圧,ばらつき