[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-3] 半絶縁性GaN基板上AlGaN/GaNショットキー接合の輸送特性

^○南條拓真，今井章文，倉橋健一郎，鈴木洋介，吹田宗義，田中俊行，柳生栄治 (三菱電機先端総研)

キーワード：GaN,HEMT