[19p-A16-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-A16-16] 固相エピタキシャル成長法による高Sn組成（＞20％）SiSn薄膜の創製

^○加藤元太¹，黒澤昌志^1,2，山羽隆¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員（PD）²)

キーワード：SiSn,solid phase epitaxy,固相エピタキシャル成長