[20a-E13-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[20a-E13-1] Gd添加GaN薄膜中の原子空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価

^○（PC）籔内敦¹，大島永康¹，ブライアンオロークE.¹，鈴木良一¹，伊藤賢志¹，佐野壮太²，東晃太郎²，周逸凱²，長谷川繁彦² (産総研¹，阪大産研²)

09:15 〜 09:30

^○白井光雲，NugrahaTauFik，江村修一，小口多美夫 (阪大産研)

09:30 〜 09:45

^○小橋勇希，多田暁由，福井迪，笹原駿介，比留間翔太，増田貴則，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

09:45 〜 10:00

^○大関正彬¹，小林篤¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

^○（M1）村瀬卓弥¹，石黒真未¹，山田知明¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇² (名城大・理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院・工)

10:45 〜 11:00

^○園田早紀¹，小笠原一禎²，櫻井芳昭³ (京都工繊大工芸¹，関西学院大理工²，大阪産技研³)

11:00 〜 11:15

早川裕也¹，福野智規¹，中村豪仁¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，^○山田陽一¹ (山口大院・理工¹，三重大院・工²)

11:15 〜 11:30

^○大音隆男¹，岩田佳也¹，DavidGachet²，MalikBenameur²，RyanBanal¹，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，Attolight AG²)

11:30 〜 11:45

^○（D）岩田佳也¹，大音隆男¹，DavidGachet²，MalikBenameur²，RyanBanal¹，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，Attolight AG²)