2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18a-E5-1~8] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:45 E5 (E105)

09:45 〜 10:00

[18a-E5-2] 熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOSの実現

菊地リチャード平八郎1,喜多浩之1,2 (東大院工1,JST さきがけ2)

キーワード:熱酸化膜,電気特性,SiC