11:45 〜 12:00
[18a-F6-11] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位
キーワード：GeSn,LLPE,結晶方位
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
[18a-F6-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 F6 (F306)
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 F6 (F306)
11:45 〜 12:00
キーワード：GeSn,LLPE,結晶方位