[18p-D6-1~19] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-D6-10] ALD-Al₂O₃水素終端ダイヤモンドMOSFETの高耐圧化

^○山田哲也，成尾智也，坪井秀俊，許德?，大長央，斎藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

キーワード：ダイヤモンド,MOSFET,絶縁破壊