[18p-F6-1~20] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18p-F6-15] 液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長

^○加藤元太¹，黒澤昌志^1,2，山羽隆¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

キーワード：SiGeSn,epitaxial growth,エピタキシャル成長