[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-D8-4] 独立印加型Field Plate電極を用いたGaN系HEMTの過渡特性解析

^○間瀬駿，分島彰男，江川孝志 (名工大)

キーワード：GaN,HEMT,過渡特性