一般セッション(ポスター講演)

[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG3 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[18p-PG3-1] 歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価

^○藤川紗千恵^1,2，高木裕介^1,2，前田章臣^1,2，古仲佑太朗^1,2，原紳介²，渡邉一世^1,2，遠藤聡²，山下良美²，笠松章史²，藤代博記^1,2 (東京理科大¹，情報通信研究機構²)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG3-2] 歪InSb HEMTにおける高ns高Gm構造の理論的検討

^○（D）西尾結，佐藤万里衣，佐藤宇人，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大院)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-3] InAs系PHEMTにおける電子・正孔系の量子状態の理論解析

^○佐藤万里衣，西尾結，市川有保，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大院)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-4] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET

^○三嶋裕一，金澤徹，木下治紀，上原英治，宮本恭幸 (東工大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-5] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性-温度依存性-

^○永瀬成範¹，高橋言緒²，清水三聡² (産総研ナノシステム¹，産総研先進パワエレ²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-6] AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性

^○中野由崇¹，色川芳宏²，角谷正友²，住田行常³，八木修一³，河合弘治³ (中部大¹，物材機構²，パウデック³)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-7] GaN/AlGaN/GaN分極超接合構造トランジスタのスイッチング特性

^○八木修一，平田祥子，松本壮太，孝治吉春，杉浦浩，河合弘治 (パウデック)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-8] GaN/AlGaN/GaN分極接合構造トランジスタの耐圧特性

^○松本壮太，平田祥子，孝治吉春，杉浦浩，八木修一，河合弘冶 (パウデック)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-9] La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスのプロセス依存性

^○陳江寧¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹，齋藤渉³ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ストレージ社³)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-10] InAlN/GaN HEMTsとAlGaN/GaN HEMTsにおける相互コンダクタンスの周波数分散

^○畠山信也，末光哲也，尾辻泰一，小林健悟，吉田智洋 (東北大、通研)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG3-11] GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析

^○山口裕太郎¹，大石敏之¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，ＴｅｏＫｏｏｎＨｏｏ²，宮本恭幸³ (三菱電機¹，MERL²，東工大³)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-12] 炭素ドープされたGaN基板上MOCVD n-GaN中のトラップ評価

宮本一輝，^○徳田豊 (愛知工大)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-13] 高電圧ストレスによるAlGaN/GaNの界面とバルクトラップの測定に関する研究

^○譚錫昊¹，川那子高暢²，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-14] TiB₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

^○岡本真里¹，松川佳弘¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二²，齋藤渉³，大橋弘通¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター＆ストレージ³)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-15] AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN 層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性

^○神谷真行¹，武井優典¹，齋藤渉²，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，東芝²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-16] デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証

^○MinjaeYoon¹，寺山一真¹，中島昭²，西澤伸一²，大橋弘通²，角嶋邦之¹，若林整¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，産総研²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-17] 表面処理によるNi/AlGaN/GaN ショットキー特性への影響

^○（M1）AliAbbasAlsalman，澤田孝幸，鈴木カズヒコ，増田貴宏 (北海道工大)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-18] 低Mg ドープp-AlGaN 及びp-InGaN ショットキー電極の電気的特性の評価

^○青木俊周，橘佐智，塩島謙次 (福井大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG3-19] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価(2)

^○永縄萌¹，青木俊周¹，塩島謙次¹，天野浩²，SonJi-Su² (福井大院工¹，名古屋大²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-D8-1] デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算

^○寺山一真¹，中島昭²，西澤伸一²，大橋弘通²，角嶋邦之¹，若林整¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，産総研²)

09:15 〜 09:30

[19a-D8-2] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTを用いた縦方向リーク電流に関する考察

^○田邉真一¹，渡邉則之¹，内田昌宏²，深田崇³，清見和正³，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研¹，NTT-AT²，三菱化学³)

09:30 〜 09:45

[19a-D8-3] エレクトロルミネッセンスを用いたAlGaN/GaN HEMTの電子温度の見積もり

^○藤本裕一，成田知隆，分島彰男，江川孝志 (名工大)

09:45 〜 10:00

[19a-D8-4] 独立印加型Field Plate電極を用いたGaN系HEMTの過渡特性解析

^○間瀬駿，分島彰男，江川孝志 (名工大)

10:00 〜 10:15

△ [19a-D8-5] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の電流変動評価

^○（M1）西口賢弥¹，JoelT.asubar¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

10:15 〜 10:30

△ [19a-D8-6] GaN HFETサイドゲート効果光応答のシミュレーション

^○井川裕介¹，李根三²，敖金平¹，大野泰夫³ (徳島大¹，日本シノプシス²，eデバイス³)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-D8-7] GaN系HEMTのノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング

^○安藤彰浩¹，長田大和²，上村隆一郎²，分島彰男¹，江川孝志¹ (名工大¹，ULVAC²)

11:00 〜 11:15

△ [19a-D8-8] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング

^○熊崎祐介¹，佐藤威友¹，橋詰保^1,2 (北大量集セ¹，JST-CREST²)

11:15 〜 11:30

△ [19a-D8-9] 多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制

^○（M2）小林健悟¹，畠山信也¹，吉田智洋¹，矢部裕平¹，DanielPiedra²，TomasPalacios²，尾辻泰一¹，末光哲也¹ (東北大通研¹，MIT MTL²)

11:30 〜 11:45

△ [19a-D8-10] 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

^○米澤宏昭¹，萱沼怜¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通³，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋²，筒井一生¹ (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

11:45 〜 12:00

[19a-D8-11] i線ステッパによるGaN HEMT微細ゲートプロセス

^○市川弘之，水江千帆子，眞壁勇夫，舘野泰範，中田健，井上和孝 (住友電工伝送デバイス研)

12:00 〜 12:15

[19a-D8-12] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(II)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章文¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

12:15 〜 12:30

[19a-D8-13] 層状BN剥離層を利用した銅板転写によるAlGaN/GaN HEMTの自己発熱効果の抑制

^○廣木正伸，熊倉一英，山本秀樹 (NTT物性研)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:30 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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昼食 12:30〜14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[19p-D8-1] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の光励起を用いた電気特性評価

^○（D）瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

14:15 〜 14:30

[19p-D8-2] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価

^○（D）瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

14:30 〜 14:45

[19p-D8-3] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化

^○横山大樹，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

14:45 〜 15:00

[19p-D8-4] コンダクタンス法によるAlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップに関する研究

^○劉璞誠¹，竇春萌¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

15:00 〜 15:15

[19p-D8-5] AlGaN/GaN上のTi/C/TiN電極のコンタクト抵抗：Ti/C膜厚及び比率依存性

^○松川佳弘¹，岡本真里¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，齋藤渉³，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター社³)

15:15 〜 15:30

[19p-D8-6] GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル

^○大石敏之¹，山口裕太郎¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，野上洋一¹，福本宏¹，宮本恭幸² (三菱電機¹，東工大²)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [19p-D8-7] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価

^○山本晋吾，木原雄平，塩島謙次 (福井大院工)

16:00 〜 16:15

△ [19p-D8-8] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN層厚依存性

^○武井優典¹，岡本真里¹，シンマン¹，萱沼玲¹，神谷真行¹，齋藤渉³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研²，東芝³)

16:15 〜 16:30

[19p-D8-9] ALD Al₂O₃絶縁体層を有するInAlN MOSダイオードの特性に対するアニールの効果

^○千葉勝仁，中野拓真，赤澤正道 (北大量集センター)

16:30 〜 16:45

△ [19p-D8-10] 2段階ALDにより形成されたAl₂O₃/InAlN界面の特性(2)

^○中野拓真，千葉勝仁，小棚木陽一郎，赤澤正道 (北大量集センター)

16:45 〜 17:00

[19p-D8-11] ドライエッチング面を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のMOS界面評価

^○谷田部然治¹，堀祐臣¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

17:00 〜 17:15

▲ [19p-D8-12] Interface state density, gate-control efficiency, and intrinsic transconductance of AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices

^○Hong-AnShih，MasahiroKudo，TuanQuyNguyen，Toshi-kazuSuzuki (Japan Advanced Institute of Science and Technology)

17:15 〜 17:30

[19p-D8-13] GaN系HEMTデバイスのメタル・半導体界面反応解析に伴うオーミック電極の形成現象

^○MahadevaiahGopal¹，もたい貴子¹，吉岡啓²，高田賢治²，杉山仁¹ (東芝先端ディスクリート開発センター先端ディスクリートユニットプロセス開発部¹，東芝先端ディスクリート開発センター先端ディスクリート素子開発部²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-D8-1] NO₂曝露・水素終端ダイヤモンド／Al₂O₃ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定

^○嘉数誠¹，高橋和敏²，今村真幸²，平間一行³ (佐賀大院工¹，佐賀大シンクロトロン光応用研セ²，NTT物性基礎研³)

09:15 〜 09:30

△ [20a-D8-2] ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析

^○（B）原田和也¹，平間一行²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，NTT物性基礎研²)

09:30 〜 09:45

[20a-D8-3] Siイオン注入を用いて作製したディプレッションモードGa₂O₃ MOSFET

^○東脇正高¹，佐々木公平^2,1，ワンマンホイ¹，上村崇史¹，キルシナムルティダイワシガマニ¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸² (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

09:45 〜 10:00

▼ [20a-D8-4] Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga₂O₃

^○ManHoiWong¹，上村崇史¹，佐々木公平^2,1，KrishnamurthyDaivasigamani¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸²，東脇正高¹ (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

10:00 〜 10:15

[20a-D8-5] β-Ga₂O₃単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析

^○（B）原田和也¹，松永晃和¹，飯塚和幸²，輿公祥²，倉又朗人²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，タムラ製作所²)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [20a-D8-6] 超高次非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFETの空乏層の可視化

^○茅根慎通¹，中村孝²，長康雄¹ (東北大通研¹，ローム²)

10:45 〜 11:00

[20a-D8-7] ATR-FTIR法を用いた熱処理によるLa2O3/SiC界面反応の解析

^○雷一鳴¹，宗清修¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

11:00 〜 11:15

[20a-D8-8] La-silicate界面層を用いたSiC-MOSキャパシタの容量電圧特性の評価

^○宗清修¹，雷一鳴¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，名取研二¹，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

11:15 〜 11:30

△ [20a-D8-9] Si/SiO₂基板上での高移動度n型及びp型III-V族半導体トランジスタ

^○竹井邦晴^1,2，StevenChuang²，HuiFang²，MortenMadsen²，JunghyoNah²，RehanKapadia²，AliJavey² (大阪府大¹，カリフォルニア大バークレー校²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-D8-10] InGaAs-HEMTにおける寄生遅延時間へのT型ゲート高さの影響

^○吉田智洋，小林健悟，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也 (東北大通研)

11:45 〜 12:00

▲ [20a-D8-11] Enhancement of Breakdown Voltages in InP-based HEMTs with Tri-Layer Channel Structure

^○アミンエルムチョーキル，杉山弘樹，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研究所)

一般セッション(口頭講演)

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:00〜13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-D8-1] f_max>400GHzの高周波特性を有する高耐圧InP/InGaAs DHBT

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

13:15 〜 13:30

△ [20p-D8-2] MOCVD成長InGaAsSbベースHBTの低ターン・オン電圧動作

^○星拓也，柏尾典秀，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田実，松崎秀昭，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

13:30 〜 13:45

[20p-D8-3] 表面活性化接合法により接合されたSiC基板上InP系HBTの電気的特性評価

^○白鳥悠太¹，柏尾典秀¹，日暮栄治²，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研究所¹，東大²)

13:45 〜 14:00

[20p-D8-4] Ge及びIn_0.53Ga_0.47Asチャネル素子に於ける素子面積の低減

^○小野瑞城，手塚勉 (産総研 GNC)

14:00 〜 14:15

[20p-D8-5] ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析

長井彰平¹，永井佑太郎¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，遠藤聡²，渡邊一世^1,2，笠松章史²，藤代博記¹，^○初芝正太¹ (東理大院基礎工¹，情報通信研究機構²)

14:15 〜 14:30

[20p-D8-6] 各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析

^○矢島悠貴，大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大基礎工)

14:30 〜 14:45

[20p-D8-7] AlTiO/n-GaAs(001)金属-絶縁体-半導体構造の電気伝導におけるLichtenecker対数混合則

^○宇井利昌，工藤昌宏，鈴木寿一 (北陸先端科学技術大学院大)

14:45 〜 15:00

[20p-D8-8] 表面偏析予測システムSurfSeg

^○吉武道子 (物材機構)

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[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-PG3-2] 歪InSb HEMTにおける高ns高Gm構造の理論的検討

△ [18p-PG3-11] GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析

[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-D8-5] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の電流変動評価

△ [19a-D8-6] GaN HFETサイドゲート効果光応答のシミュレーション

△ [19a-D8-8] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング

△ [19a-D8-9] 多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制

△ [19a-D8-10] 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-D8-7] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価

△ [19p-D8-8] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN層厚依存性

△ [19p-D8-10] 2段階ALDにより形成されたAl2O3/InAlN界面の特性(2)

▲ [19p-D8-12] Interface state density, gate-control efficiency, and intrinsic transconductance of AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D8-2] ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析

▼ [20a-D8-4] Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga2O3

△ [20a-D8-6] 超高次非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFETの空乏層の可視化

△ [20a-D8-9] Si/SiO2基板上での高移動度n型及びp型III-V族半導体トランジスタ

△ [20a-D8-10] InGaAs-HEMTにおける寄生遅延時間へのT型ゲート高さの影響

▲ [20a-D8-11] Enhancement of Breakdown Voltages in InP-based HEMTs with Tri-Layer Channel Structure

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20p-D8-2] MOCVD成長InGaAsSbベースHBTの低ターン・オン電圧動作

△ [19p-D8-10] 2段階ALDにより形成されたAl₂O₃/InAlN界面の特性(2)

▼ [20a-D8-4] Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga₂O₃

△ [20a-D8-9] Si/SiO₂基板上での高移動度n型及びp型III-V族半導体トランジスタ