[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-5] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性-温度依存性-

^○永瀬成範¹，高橋言緒²，清水三聡² (産総研ナノシステム¹，産総研先進パワエレ²)

キーワード：共鳴トンネルダイオード,窒化物半導体,有機金属気相成長法