[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-10] InAlN/GaN HEMTsとAlGaN/GaN HEMTsにおける相互コンダクタンスの周波数分散

^○畠山信也，末光哲也，尾辻泰一，小林健悟，吉田智洋 (東北大、通研)

キーワード：窒化物半導体デバイス