[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-16] デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証

^○MinjaeYoon¹，寺山一真¹，中島昭²，西澤伸一²，大橋弘通²，角嶋邦之¹，若林整¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，産総研²)

キーワード：GaN Power Device,Simulation,FinFET