[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-14] TiB₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

^○岡本真里¹，松川佳弘¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二²，齋藤渉³，大橋弘通¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター＆ストレージ³)

キーワード：GaN, コンタクト